RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3033
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link