RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
42
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2227
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link