RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
42
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
9.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2126
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link