RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.6
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
42
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2213
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link