RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.6
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
42
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2213
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link