RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2347
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Kingston KPN424-ELJ 1GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link