RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3758
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link