RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2632
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link