RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
42
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2768
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Samsung M393B2G70EB0-YK0 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link