RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
42
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2973
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link