RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3247
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link