RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
56
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
56
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2761
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link