RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
45
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
45
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2943
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link