RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3132
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link