RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Porównaj
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,072.7
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
75
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,730.3
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,072.7
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3734
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link