RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
74
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2852
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link