RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
71
74
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.2
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
71
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
5.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
1344
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link