RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
74
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3448
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM3X1G1333C9 1GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18JSF51272PZ-1G4D1 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link