RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
74
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3448
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Lenovo 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link