RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
74
Wokół strony -222% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3260
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link