RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
74
Wokół strony -139% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3318
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link