RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
74
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2982
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link