RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
74
Wokół strony -236% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3237
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB Porównanie pamięci RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link