RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
74
Wokół strony -311% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3971
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link