RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
74
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3203
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link