RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
74
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 31 32 33 34 35 36 37 38
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2583
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link