RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
74
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3143
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link