RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
74
Wokół strony -147% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3047
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link