RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
74
Wokół strony -147% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2516
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link