RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
74
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2907
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link