RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
74
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2854
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link