RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
74
Wokół strony -131% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2968
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link