RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
74
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2751
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link