RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
74
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2804
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link