RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
74
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3680
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link