RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
74
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3131
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link