RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
74
Wokół strony -147% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3372
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SLA302G08-GGNNG 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link