RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
74
Wokół strony -270% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
20
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3429
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link