RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
74
Wokół strony -208% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3482
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link