RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
74
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3429
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link