RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
17.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
74
Wokół strony -311% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3668
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link