RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
74
Wokół strony -236% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3926
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link