RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
74
Wokół strony -155% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3779
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB
Corsair CM2X1024-6400C5DHX 1GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link