RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
23
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
15
74
Wokół strony -393% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.0
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
15
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
23.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
21.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
4039
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link