RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
74
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3074
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
INTENSO 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link