RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
74
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3463
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Lenovo 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link