RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
74
Wokół strony -222% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3037
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link