RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
74
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.9
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
41
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
8.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2126
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C6NG9 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link