RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
74
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
40
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2527
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link