RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
74
Wokół strony -147% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3021
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link