RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
74
Wokół strony -139% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3112
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link