RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
74
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2537
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link